[发明专利]陶瓷封装发光二极管及其制作方法无效
| 申请号： | 200710007748.4 | 申请日： | 2007-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101022147A | 公开（公告）日： | 2007-08-22 |
| 发明（设计）人： | 刘信均;王耀毅;苏智良;王方波 | 申请（专利权）人： | 华兴电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L25/00;H01L25/075;H01L23/488;H01L23/498;H01L21/60 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人： | 温旭 |
| 地址： | 台湾省台北县新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种使用陶瓷作为基材的发光二极管封装结构及其制作方法，其采用在迭合于第一层陶瓷基材上方的第二层陶瓷基材的镂空区提供一组相对的非连续反光壁，发光二极管安置于第二层陶瓷基材的镂空区，通过镂空区提供的一组相对的非连续反光壁，可以将所述的发光二极管的光线反射至外部，镂空区另外两边为开放区，可以提供发光二极管光线射出用，致使整体光线以扇形射出。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷封装 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种陶瓷封装发光二极管，其特征在于，包括：(1)第一层陶瓷基材，更包括：(a)第一面，具有第一金属区与第二金属区；(b)第二面，具有第三金属区与第四金属区，可供表面黏着用；(c)第一组导通金属，耦合前述的第一金属区至前述的第三金属区；以及(d)第二组导通金属，耦合前述的第二金属区至前述的第四金属区；(2)第二层陶瓷基材，迭合于前述的第一层陶瓷基材上方，更包括：一组相对的非连续反光壁；以及(3)发光二极管，安置于前述的第一层陶瓷基材上方，电性分别耦合至前述的第一金属区以及第二金属区；且安置于前述的相对的非连续反光壁之间。
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