[发明专利]半导体装置以及其制造方法

摘要

半导体装置以及其制造方法，提供处理技术较简单且可以以少元件存储多值数据的新的存储器。通过使在第一存储元件中的第一电极的形状的一部分与在第二存储元件中的第一电极的形状不同，使第一电极与第二电极之间的电阻变化的电压值不同，来在一个存储单元中进行存储超过一位的多值信息。通过部分地加工第一电极，可以增加每单位面积的存储容量。

主权项

1.一种半导体装置，包括：至少第一存储元件和第二存储元件，分别具有第一电极，所述第一存储元件包括：在绝缘表面上的第一电极；在所述第一电极上的第二电极；以及夹在所述第一电极与所述第二电极之间的材料层；以及电连接到所述第一存储元件和所述第二存储元件的薄膜晶体管，其中，在每个所述第一存储元件和所述第二存储元件中，电阻由于施加电压而发生变化，并且，在所述第一存储元件与所述第二存储元件中，电阻发生变化的电压值不同，并且，所述第一存储元件的第二电极与所述第二存储元件通用。