[发明专利]基于氮化物的半导体发光二极管有效
| 申请号： | 200710004902.2 | 申请日： | 2007-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN101051662A | 公开（公告）日： | 2007-10-10 |
| 发明（设计）人： | 高健维;吴邦元;咸宪柱;金制远;朴亨镇;黄硕珉;金东佑 | 申请（专利权）人： | 三星电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种基于氮化物的半导体LED，包括：衬底；n型氮化物半导体层，形成在衬底上；有源层，形成在n型氮化物半导体层的预定区域上；p型氮化物半导体层，形成在有源层上；透明电极，形成在p型氮化物半导体层上；p型电极焊盘，形成在透明电极上；一对p型连接电极，形成为从p型电极焊盘延伸的线形，以便相对于邻近p型电极焊盘的透明电极的一侧具有小于90°的倾角；一对P电极，从p型连接电极的两端沿n型电极焊盘的方向延伸，p电极平行于相邻的透明电极的一侧形成；以及n型电极焊盘，形成在n型氮化物半导体层上，在其上并不形成有源层，使得n型电极焊盘面向p型电极焊盘。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氮化物 半导体 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种基于氮化物的半导体LED，包括：衬底；n型氮化物半导体层，形成在所述衬底上；有源层，形成在所述n型氮化物半导体层的预定区域上；p型氮化物半导体层，形成在所述有源层上；透明电极，形成在所述p型氮化物半导体层上；p型电极焊盘，形成在所述透明电极上；一对p型连接电极，形成为从所述p型电极焊盘延伸的线形，以便相对于邻近所述p型电极焊盘的所述透明电极的一侧具有小于90°的倾角；一对p电极，从所述p型连接电极的两端沿所述n型电极焊盘的方向延伸，所述p电极形成为与相邻的透明电极的一侧平行；以及n型电极焊盘，形成在所述n型氮化物半导体层上，在其上并不形成有源层，使得所述n型电极焊盘面向所述p型电极焊盘。
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