[发明专利]一种MEMS器件的气密性封装方法无效
| 申请号： | 200710003229.0 | 申请日： | 2007-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101234745A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 陈兢;吴烨娴;赵刚 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 俞达成 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种可广泛应用的MEMS器件的气密性封装方法，该方法是一种基于中间层的键合技术，配合涂敷金属等气密性材料来实现气密性封装。所用的中间层材料是光刻胶等具有黏附性的有机物质，在低温低压的情况下就能实现较大的键合强度，并且产生的内应力极小。同时，这种键合方式对上下表面要求也不高，即使表面不是十分平整，也可以成功键合，涂覆上气密性材料后漏气率小于1×10－8cm3/s，完全符合实际应用的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 气密性 封装 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种MEMS器件的气密性封装方法，包括如下步骤：(1)在基片A上加工出凹槽作为装放MEMS器件的容腔；(2)在基片B的一面涂上具有黏附性的有机物质作为下一步键合的中间层；(3)将基片B涂有黏附性有机物质的一面向下覆盖于凹槽上，通过中间层将基片A和基片B键合在一起；(4)对基片B从背面进行加工，使之在凹槽上形成合适的顶盖图形，并去除未被顶盖覆盖的中间层部分；(5)涂覆一层气密性材料覆盖住中间层的裸露部分。
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