[发明专利]一种MEMS器件的气密性封装方法无效
| 申请号： | 200710003229.0 | 申请日： | 2007-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101234745A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 陈兢;吴烨娴;赵刚 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 俞达成 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 气密性 封装 方法 | ||
1. 一种MEMS器件的气密性封装方法，包括如下步骤：
(1)在基片A上加工出凹槽作为装放MEMS器件的容腔；
(2)在基片B的一面涂上具有黏附性的有机物质作为下一步键合的中间层；
(3)将基片B涂有黏附性有机物质的一面向下覆盖于凹槽上，通过中间层将基片A和基片B键合在一起；
(4)对基片B从背面进行加工，使之在凹槽上形成合适的顶盖图形，并去除未被顶盖覆盖的中间层部分；
(5)涂覆一层气密性材料覆盖住中间层的裸露部分。
2. 如权利要求1所述的MEMS器件的气密性封装方法，其特征在于：所述基片A和基片B的材料相同或不同，是半导体、玻璃、金属或者陶瓷。
3. 如权利要求1所述的MEMS器件的气密性封装方法，其特征在于：所述具有黏附性的有机物质为光刻胶、聚酰亚胺、聚对二甲苯、苯并环丁烯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚二甲基硅氧烷。
4. 如权利要求3所述的MEMS器件的气密性封装方法，其特征在于：所述光刻胶为SU8或AZ胶。
5. 如权利要求1所述的MEMS器件的气密性封装方法，其特征在于：所述步骤(5)是用溅射的方法涂覆一层金属。
6. 如权利要求5所述的MEMS器件的气密性封装方法，其特征在于：所述金属为铝。
7. 如权利要求1所述的MEMS器件的气密性封装方法，其特征在于：所述步骤(2)中的基片B为硅片，首先在硅片上生长一层二氧化硅和一层氮化硅，并根据基片A上凹槽的大小和形状对氮化硅层光刻腐蚀，定义出氮化硅层的图形，然后再涂上黏附性有机物质。
8. 如权利要求7所述的MEMS器件的气密性封装方法，其特征在于：所述黏附性有机物质为光刻胶。
9. 如权利要求8所述的MEMS器件的气密性封装方法，其特征在于：所述步骤(3)光刻胶作为中间层的键合温度为100～200℃，外加压力为300N～1000N。
10. 如权利要求8或9所述的MEMS器件的气密性封装方法，其特征在于：所述步骤(4)加工出顶盖图形并去除二氧化硅层露出的部分后，通过曝光显影去除未被顶盖覆盖的光刻胶，然后再去除光刻胶上方氮化硅层露出的台阶部分。
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