[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

摘要

以覆盖第一半导体层(13)的方式在半导体基板(11)上形成第二半导体层(14)，以覆盖第三半导体层(15)的方式在第二半导体层(14)上形成第四半导体层(17)，以覆盖第五半导体层(18)的方式在第四半导体层(17)上形成第六半导体层(20)之后，蚀刻去除第一半导体层(13)、第三半导体层(15)及第五半导体层(18)，在半导体基板(11)和第二半导体层(14)之间的空洞部(30a)形成埋入绝缘层(31a)，在第二半导体层(14)和第四半导体层(17)之间的空洞部(30b)形成埋入绝缘层(31b)，在第四半导体层(17)和第六半导体层(20)之间的空洞部(30c)形成埋入绝缘层(31c)。

主权项

1、一种半导体装置，具备：半导体层，在半导体基板上通过外延生长而形成；第一埋入绝缘层，在所述半导体层下的第一区域埋入；和第二埋入绝缘层，在所述半导体层下的第二区域的、比所述第一埋入绝缘层还要深的位置埋入。