[发明专利]半导体器件及制造该半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200710001289.9 | 申请日： | 2007-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101118857A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 崔伸圭;吴承哲 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L21/822;H01L29/78;H01L29/49;H01L29/423;H01L27/04 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;张天舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件，所述半导体器件包括器件隔离结构、凹式沟道结构以及栅极电极。所述器件隔离结构形成于半导体基板中以限定有源区。所述凹式沟道结构设置在所述有源区之下的半导体基板中。所述栅极电极包括设置在栅极区中的保持层，以填充所述凹式沟道结构。所述保持层避免在所述凹式沟道结构中产生裂缝及裂缝转移。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体基板中形成凹式沟道结构，所述半导体基板具有限定有源区的器件隔离结构；在所述基板之上形成包括保持层的栅极导电层，以填充所述凹式沟道结构，所述保持层构造成避免在所述凹式沟道结构中产生裂缝及裂缝转移；以及图案化所述栅极导电层以形成栅极结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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