[发明专利]非易失性半导体存储器件及其写入、读取方法和删除方法无效
| 申请号： | 200680056497.2 | 申请日： | 2006-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101548333A | 公开（公告）日： | 2009-09-30 |
| 发明（设计）人： | 佐藤嘉洋 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L27/105 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 浦柏明;徐 恕 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种非易失性半导体存储器件，包括存储单元MC，该存储单元MC具有：电阻存储元件10，当对该电阻存储元件施加高于复位电压且低于置位电压的电压时，所述电阻存储元件从低电阻状态变化为高电阻状态，当对该电阻存储元件施加高于所述置位电压的电压时，所述电阻存储元件从所述高电阻状态变化为所述低电阻状态；第一晶体管12，其具有第一栅极电极和第一源极/漏极扩散层，第一源极/漏极扩散层的一侧连接到电阻存储元件的一个端部；以及第二晶体管14，其具有第二栅极电极和第二源极/漏极扩散层，第二源极/漏极扩散层的一侧连接到电阻存储元件的一个端部，第二源极/漏极扩散层的另一侧连接到电阻存储元件的另一个端部。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 及其 写入 读取 方法 删除 | ||
【主权项】：
1. 一种非易失性半导体存储器件，其特征在于，具有存储单元，该存储单元具有：电阻存储元件，当对该电阻存储元件施加高于复位电压且低于置位电压的电压时，该电阻存储元件从所述低电阻状态变化为所述高电阻状态，当对该电阻存储元件施加高于所述置位电压的电压时，该电阻存储元件从所述高电阻状态变化为所述低电阻状态，第一晶体管，其具有第一栅极电极和第一源极/漏极扩散层，所述第一源极/漏极扩散层的一侧连接到所述电阻存储元件的一个端部，以及第二晶体管，其具有第二栅极电极和第二源极/漏极扩散层，所述第二源极/漏极扩散层的一侧连接到所述电阻存储元件的所述一个端部，所述第二源极/漏极扩散层的另一侧连接到所述电阻存储元件的另一个端部。
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