[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 200680055189.8 | 申请日： | 2006-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN101479843A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 江间泰示;水谷和宏 | 申请（专利权）人： | 富士通微电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;陈 晨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供能够防止发生导电性材料的残渣引发的问题的半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置，具有：半导体基板，具有第1区域和第2区域；STI元件分离区域，由在半导体基板上形成的元件分离槽和埋入元件分离槽的绝缘膜形成，划定第1区域和第2区域的多个有源区域；第1结构物，从第1区域的有源区域上形成到周围的STI元件分离区域，具有第1高度；第2结构物，从第2区域的有源区域上形成到周围的STI元件分离区域，具有低于第1高度的第2高度，第1区域的STI元件分离区域的表面低于第2区域的STI元件分离区域的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置，其特征在于，具有：半导体基板，具有第1区域和第2区域，STI元件分离区域，由在所述半导体基板上形成的元件分离槽和埋入该元件分离槽的绝缘膜形成，用于划定所述第1区域和所述第2区域的多个有源区域，第1结构物，从所述第1区域的有源区域上开始延伸形成到周围的STI元件分离区域，并且具有第1高度，第2结构物，从所述第2区域的有源区域上开始延伸形成到周围的STI元件分离区域，并且具有低于所述第1高度的第2高度；所述第1区域的STI元件分离区域的表面低于所述第2区域的STI元件分离区域的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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