[发明专利]III族氮化物半导体发光器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200680052876.4 | 申请日： | 2006-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101375416A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 金昌台;郑贤敏;全议圭;金贤锡;南起炼;崔炳均 | 申请（专利权）人： | 艾比维利股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁香兰;谭辉 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种III族氮化物半导体发光器件及其制造方法。所述III族氮化物半导体发光器件包括：其中形成有沟槽的衬底、在所述衬底上生长的多个氮化物半导体层，并且所述多个氮化物半导体层包括用于通过电子和空穴的复合而发光的有源层和沿着所述多个氮化物半导体层在所述沟槽上形成的开口。 | ||
| 搜索关键词： | iii 氮化物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造III族氮化物半导体发光器件的方法，所述III族氮化物半导体发光器件包括：具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的衬底；在所述衬底的所述第一表面侧生长的多个氮化物半导体层，并且所述多个氮化物半导体层包括具有第一电导率的第一氮化物半导体层、具有与所述第一电导率不相同的第二电导率的第二氮化物半导体层、和介于所述第一氮化物半导体层和所述第二氮化物半导体层之间的用于通过电子和空穴的复合而发光的有源层；与所述第一氮化物半导体层电连接的第一电极；和与所述第二氮化物半导体层电连接的第二电极；所述方法包括：在所述衬底的所述第一表面上形成沟槽的第一步骤；在其中形成有所述沟槽的所述衬底的所述第一表面侧上生长所述多个氮化物半导体层的第二步骤；从所述衬底的所述第二表面侧部分移除所述衬底从而使得所述第一电极能穿过所述沟槽与所述第一氮化物半导体层电连接的第三步骤；和由所述衬底的所述第二表面侧形成所述第一电极从而使得所述第一电极能穿过所述沟槽与所述第一氮化物半导体层电连接的第四步骤。
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