[发明专利]干式化学处理衬底的方法及其用途无效
| 申请号： | 200680045865.3 | 申请日： | 2006-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101326619A | 公开（公告）日： | 2008-12-17 |
| 发明（设计）人： | 斯特凡·雷伯;格哈德·维勒克 | 申请（专利权）人： | 弗兰霍菲尔运输应用研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/324;H01L21/322;H01L21/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;刘继富 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于对选自包括硅、陶瓷、玻璃和石英玻璃的组的衬底进行干式化学处理的方法，其中在加热的反应室内用包含氯化氢的气体作为蚀刻剂来处理所述衬底，还涉及可以以上述方法来制备的衬底。本发明还涉及上述方法的用途。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 处理 衬底 方法 及其 用途 | ||
【主权项】：
1.一种用于干式化学处理选自包含硅、陶瓷、玻璃和石英玻璃的组的衬底的方法，其中在加热的反应室内利用蚀刻气体处理所述衬底，所述蚀刻气体包含含氯的气体或者含有至少一种含氯化合物的气体，其特征在于，在所述处理过程中进行所述衬底的净化，其中选择温度和所述蚀刻气体的浓度，使得至少部分去除包含在所述衬底体积内的杂质和/或外来原子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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