[发明专利]半导体光学元件无效
| 申请号： | 200680044080.4 | 申请日： | 2006-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN101341600A | 公开（公告）日： | 2009-01-07 |
| 发明（设计）人： | 渡边泽木;芝和宏;中田武志 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H01L33/00;H01S5/183 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陆锦华;黄启行 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种光接收元件(1)，包括：半导体衬底(101)；第一台面(11)，具有形成在所述半导体衬底(101)之上的有源区和形成在所述有源区之上的第一电极(p侧电极(111))；第二台面(12)，设置在所述半导体衬底(101)之上，具有半导体层和形成在所述半导体层之上的第二电极(n侧电极(121))；以及第三台面(13)，形成在所述半导体衬底(101)之上，具有半导体层。所述第三台面(13)布置为包围所述第一台面(11)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 光学 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光学元件，包括：半导体衬底；第一台面，设置在所述半导体衬底之上，具有有源区和设置在所述有源区之上的第一电极；第二台面，设置在所述半导体衬底之上，具有半导体层和设置在所述半导体层之上的第二电极；以及第三台面，设置在所述半导体衬底之上，具有半导体层，其中，所述第三台面布置为包围所述第一台面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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