[发明专利]半导体光学元件无效
| 申请号: | 200680044080.4 | 申请日: | 2006-12-20 |
| 公开(公告)号: | CN101341600A | 公开(公告)日: | 2009-01-07 |
| 发明(设计)人: | 渡边泽木;芝和宏;中田武志 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
| 主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10;H01L33/00;H01S5/183 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 陆锦华;黄启行 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 光学 元件 | ||
1.一种半导体光学元件,包括:
半导体衬底;
第一台面,设置在所述半导体衬底之上,具有有源区和设置在所 述有源区之上的第一电极;
第二台面,设置在所述半导体衬底之上,具有半导体层和设置在 所述半导体层之上的第二电极;以及
第三台面,设置在所述半导体衬底之上,具有半导体层,
其中,所述第三台面形成为环形以包围所述第一台面。
2.如权利要求1所述的半导体光学元件,
其中,所述第三台面的一部分位于所述第一台面与所述第二台面 之间。
3.如权利要求1或2所述的半导体光学元件,其中,所述第三台 面的高度方向的尺寸与所述第一台面的高度方向的尺寸相等,或者大 于所述第一台面的高度方向的尺寸。
4.如权利要求1所述的半导体光学元件,
其中,所述第三台面具有在其顶部形成的引出电极,以及
设置有互连,该互连将所述第一台面上的所述第一电极与所述第 三台面的顶部的所述引出电极连接。
5.如权利要求4所述的半导体光学元件,
其中,所述互连布置为跨过所述第一台面与所述第三台面之间的 间隙,以及
在所述互连下填充有绝缘膜。
6.如权利要求1所述的半导体光学元件,
其中,所述第一台面的顶部的面积小于所述第二台面的顶部的面 积。
7.如权利要求1所述的半导体光学元件,
其中,所述半导体光学元件为半导体光接收元件,
所述第一台面的所述有源区为光吸收层,以及
所述第一台面与所述第二台面通过在所述半导体衬底之上形成的 导电层电气连接。
8.如权利要求1所述的半导体光学元件,
其中,所述半导体光学元件为半导体光发射元件,以及
所述第一台面的所述有源区为光发射层。
9.如权利要求1所述的半导体光学元件,
其中,所述半导体光学元件以使所述各个台面的顶部与安装衬底 相对的方式安装在所述安装衬底上。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





