[发明专利]适用于高频操作中去耦应用的沟槽电容器

摘要

本发明涉及电容器(500)、包括电容器的电子电路、电子元件以及形成电容器的方法。在本发明的电容器中，电流路径区(530)从两个沟槽电容器之一延伸至相应的接触结构(520)。把衬底从初始衬底厚度减薄至减小的衬底厚度，以获得本发明电容器的电流路径区，所述衬底可以是包括电容器区的横向衬底部分也可以是在形成第一和第二接触结构之前整个侧向延伸的衬底。本发明电容器具有表现出电流路径区减小阻抗的优势。该减小的阻抗意味着由电容器电流路径区造成的低自感和自阻。低自感在电路配置的加宽频谱范围上提供了改进信号压制，所述电路配置将本发明电容器作为信号线和地面电势之间的旁路电容器。

主权项

1.一种电容器(500，800，900，1000，1100，1200，1300)，包括：衬底(502，802，902，1002，1102，1202，1302)，所述衬底包括第一衬底面(506)和相对的第二衬底面(526)；电容器区(524)，所述电容器区嵌入在所述衬底中并且包括至少一个层结构，所述层结构具有彼此电隔离的第一和第二电容器电极以及在与第一和第二衬底面垂直的平面内具有U-型截面轮廓，所述第一和第二电容器电极分别与第一(508，510，516，518，520)和第二(528)接触结构电连接；以及电流路径区(530，830，930，1030)，所述电流路径区从第一电容器电极(524)延伸至第一接触结构(520，820，928，1020)以及配置用于为电流提供路径，其中所述衬底包括凹槽(504，804，904，1004，1104，1204)，所述凹槽在包括电容器区(524，824，924，1024，1124，1224)的横向横向衬底部分的第一衬底面上，所述凹槽包括具有接触元件(520)的底面(522)，所述接触元件(520)是第一接触结构的一部分，使得将电容器区(524，824，924，1024)和电流路径区(530，830，930，1030)设置在所述接触元件(520)和所述第二衬底面(526)上的第二接触结构(526，826，926，1026)之间。