[发明专利]适用于高频操作中去耦应用的沟槽电容器

权利要求书

1.一种电容器装置(800，900，1200)，包括：

高电阻率衬底(802，902，1202)，该高电阻率的数值在一个 或几个千欧·cm的范围内，所述衬底包括第一衬底面(506)和相对 的第二衬底面(526)以及由导电衬底区形成的电流路径区；

电容器区(524)，所述电容器区嵌入在所述衬底中并且包括至 少一个层结构，所述层结构具有彼此电隔离的第一和第二电容器电极 以及在与第一和第二衬底面垂直的平面内具有U-型截面轮廓，所述 第一和第二电容器电极分别与第一(508，510，516，518，520)和 第二(528)接触结构电连接；以及

电流路径区(830，930)，其被掺杂以获取一个低电阻率的电 流路径区，该低电阻率的数值在几个毫欧·cm至几个欧姆·cm的范 围内，所述电流路径区从两个沟槽电容器电极(524，824，924，1024) 之一延伸至对应的接触结构(520，820，928，1020)以及配置用于 为电流提供路径，

其中所述衬底包括凹槽(804，904，1204)，所述凹槽在包括 电容器区(824，924，1224)的横向横向衬底部分的第一衬底面上， 所述凹槽包括具有接触元件(520)的底面(522)，所述接触元件(520) 是第一接触结构的一部分，使得将电容器区(824，924)和电流路径 区(830，930设置在所述接触元件(520)和所述第二衬底面(526) 上的第二接触结构(826，926)之间。

2.根据权利要求1中所述的电容器装置，

其中所述第一接触结构配置有至少两个彼此电连接的信号端口 (516，518)，一个作为输入，另一个作为输出，而所述第二接触结 构是接地连接。

3.根据权利要求1中所述的电容器装置，其中所述凹陷的横向 衬底部分的厚度最多为50微米。

4.根据权利要求1中所述的电容器装置，

其中所述凹槽的横向(512，514)在接触元件(520)和第一衬 底面未凹陷部分之间的第一凹槽部分(504)中相对于凹槽底面(522) 倾斜大于90°的角度，而在由接触元件(520)填充的第二凹槽部分 中倾斜90°的角度。

5.根据权利要求1中所述的电容器装置，

其中所述电流路径区由第一衬底面上凹槽(804、1204)的底面 和电容器区(824、1224)之间的导电衬底区(830、1230)形成，以 及在截面轮廓中，U-型的底部指向所述凹槽的底面。

6.根据权利要求1中所述的电容器装置，

其中所述电流路径区由钝化层形成，所述钝化层覆盖所述凹槽 的底面并且被所述接触元件覆盖。

7.根据权利要求1中所述的电容器装置，

其中所述电流路径区(930)设置在电容器区(924)和第二衬 底面(926)上的第二接触结构(928)之间，以及在截面轮廓中，U- 型的底部指向第二衬底面(926)。

8.根据权利要求1中所述的电容器装置，

其中所述电流路径区(930)的横向延伸范围等于电容器区(824， 924)的横向延伸范围，以及所述电流路径区具有比所述衬底(802， 902)横向相邻区域低的电阻率。

9.根据权利要求2中所述的电容器装置，

其中所述第一接触结构的信号端口(508，510)设置在第一衬 底面(506)的未凹陷部分，并且与所述凹槽(504)底面上的所述接 触元件(520)相连。

10.根据权利要求2中所述的电容器装置，

其中所述第一接触结构的信号端口(1216，1218)设置第二衬 底面上，并且通过接触线与所述凹槽(1204)底面上的接触元件相连， 所述接触线从第一衬底面延伸至第二衬底面。