[发明专利]氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200680032214.0 | 申请日： | 2006-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101258614A | 公开（公告）日： | 2008-09-03 |
| 发明（设计）人： | 村木典孝;篠原裕直;大泽弘 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;李峥 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有优良的光提取效率的氮化镓基化合物半导体发光器件及其制造方法。由氮化镓基化合物半导体获得的发光器件包括：衬底；顺序层叠在衬底11上的n型半导体层13、发光层14和p型半导体层15；层叠在p型半导体15层上的可透光正电极16；设置在可透光正电极16上的正电极接合衬垫17；以及设置在n型半导体层13上的负电极接合衬垫18，其中在p型半导体层15的表面15a的至少一部分上形成无序不平坦表面。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 化合物 半导体 发光 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种由氮化镓基化合物半导体获得的氮化镓基化合物半导体发光器件，包括：衬底；顺序层叠在所述衬底上的n型半导体层、发光层和p型半导体层；层叠在所述p型半导体层上的可透光正电极；设置在所述可透光正电极上的正电极接合衬垫；以及设置在所述n型半导体层上的负电极接合衬垫，其中在所述p型半导体层的表面的至少一部分上形成无序不平坦表面。
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