[发明专利]氮化硅的化学气相沉积方法

摘要

本发明的具体实例一般而言是提供一种用于将含氮化硅层沉积在基板上的方法。方法包括下列步骤：将位于制程反应室内的基板加热至温度为约650℃以下；将含氮气体流入制程反应室；将含硅气体流入制程反应室；及将含氮化硅层沉积在基板上。在一具体实例中，含硅气体包含胺基二硅烷化合物、硅烷基叠氮化合物、硅烷基联胺化合物、或烷基硅氮烷化合物中的至少一种。在一具体实例中，胺基二硅烷化合物的化学式为R₂NSiR’₂SiR’₂NR₂，硅烷基叠氮化合物的化学式为R₃SiN₃、硅烷基联胺化合物的化学式为R’₃SiNRNR₂，其中各R和R’是各自分别含有氢、卤素、烷基、烯基、炔基、脂肪族烷基、环状烷基、芳香族基、有机硅烷基、烷胺基、或含有氮或硅的环状基。

主权项

1.一种沉积含氮化硅层在基板上的方法，其包括下列步骤：将位于制程反应室内的基板加热至低于650℃的温度；将含硅气体流入该制程反应室，其中该含硅气体包含至少一化合物，其是选自由胺基二硅烷化合物、硅烷基叠氮化合物、硅烷基联胺化合物、烷基硅氮烷化合物、其衍生物、及其组合所组成的族群中；将含氮气体流入该制程反应室；及沉积含氮化硅层在该基板上。