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[发明专利]水平全环栅和FinFET器件隔离-CN202110148577.7在审
发明人：孙世宇;N·吉田;T·K·加里尼;S·W·君;V·皮纳;E·A·C·桑切斯;B·哥伦毕尤;M·出德齐克;B·伍德;N·金 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了水平全环栅和FinFET器件隔离。本文中所述的实施例总体涉及用于水平全环栅(hGAA)隔离和鳍式场效应晶体管(FinFET)隔离的方法和装置。可在基板上形成包括按交替式堆叠形成来布置的不同材料的超晶格结构。在一个实施例中，可氧化超晶格结构的层中的至少一层以形成邻接基板的埋入式氧化物层。
水平全环栅 finfet 器件隔离

[发明专利]水平全环栅和FinFET器件隔离-CN201610309125.1有效
发明人： S·孙;N·吉田;T·K·加里尼;S·W·君;V·皮纳;E·A·C·桑切斯;B·哥伦毕尤;M·出德齐克;B·伍德;N·金 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-05-11 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本申请公开了水平全环栅和FinFET器件隔离。本文中所述的实施例总体涉及用于水平全环栅(hGAA)隔离和鳍式场效应晶体管(FinFET)隔离的方法和装置。可在基板上形成包括按交替式堆叠形成来布置的不同材料的超晶格结构。在一个实施例中，可氧化超晶格结构的层中的至少一层以形成邻接基板的埋入式氧化物层。
水平全环栅 finfet 器件隔离

[发明专利]具有交叉流的外延腔室-CN201080045712.5有效
发明人： B·拉马钱德兰;E·A·C·桑切斯;N·O·妙;K·J·宝蒂斯塔;H·S·居内贾;Z·朱 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2010-09-28 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：在此提供用于处理基板的方法与设备。在一些实施例中，用于处理基板的设备包括：处理腔室，所述处理腔室具有配置于所述处理腔室中的基板支撑件，以在所述处理腔室内于期望的位置支撑基板的处理表面；第一进入通口，用于在第一方向提供所述基板的所述处理表面上方的第一处理气体；第二进入通口，用于在有别于所述第一方向的第二方向提供所述基板的所述处理表面上方的第二处理气体，其中在所述第一方向与所述第二方向之间测量到的相对于所述基板支撑件的中心轴的方位角最高达约145度；以及排放通口，被置于所述第一进入通口对面，以从所述处理腔室排放所述第一与所述第二处理气体。
具有交叉外延

[发明专利]选择性沉积-CN200780009125.9无效
发明人： D·K·卡尔森;S·库普里奥;E·A·C·桑切斯;H·贝克福德;Y·金 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2007-03-15 - 公布日： 2009-04-01 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种在基板表面上外延形成含硅材料的方法，通过调整处理反应室温度及压力来将含卤素气体用作蚀刻气体以及载气。将氯化氢用作该含卤素气体是有利的，因为可藉由调整该反应室压力轻易地将氯化氢从载气转换为蚀刻气体。
选择性沉积

[发明专利]氮化硅的化学气相沉积方法-CN200680020874.7有效
发明人： R·S·伊叶尔;S·M·佐伊特;S·坦登;E·A·C·桑切斯;S·王 -专利权人：应用材料股份有限公司
申请日： 2006-06-07 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明的具体实例一般而言是提供一种用于将含氮化硅层沉积在基板上的方法。方法包括下列步骤：将位于制程反应室内的基板加热至温度为约650℃以下；将含氮气体流入制程反应室；将含硅气体流入制程反应室；及将含氮化硅层沉积在基板上。在一具体实例中，含硅气体包含胺基二硅烷化合物、硅烷基叠氮化合物、硅烷基联胺化合物、或烷基硅氮烷化合物中的至少一种。在一具体实例中，胺基二硅烷化合物的化学式为R₂NSiR’₂SiR’₂NR₂，硅烷基叠氮化合物的化学式为R₃SiN₃、硅烷基联胺化合物的化学式为R’₃SiNRNR₂，其中各R和R’是各自分别含有氢、卤素、烷基、烯基、炔基、脂肪族烷基、环状烷基、芳香族基、有机硅烷基、烷胺基、或含有氮或硅的环状基。
氮化化学沉积方法

[发明专利]形成高质量低温氮化硅层的方法和设备-CN200480038017.0无效
发明人： S·王;E·A·C·桑切斯;A·(史蒂文)·陈 -专利权人：应用材料有限公司
申请日： 2004-12-15 - 公布日： 2007-01-17 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：描述了形成氮化硅层的方法。根据本发明，在低沉积温度下(例如，低于550℃)，通过热解含硅和氮的源气体、或含硅的源气体及含氮的源气体，使氮化硅层沉积，从而形成氮化硅层。随后，用氢自由基处理热沉积的氮化硅层，形成经过处理的氮化硅层。
形成质量低温氮化方法设备