[发明专利]半导体发光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200680004866.3 | 申请日： | 2006-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101120451A | 公开（公告）日： | 2008-02-06 |
| 发明（设计）人： | 笠原健司;上田和正 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体发光元件及其制造方法。半导体元件包括下述的(i)～(ii)。(i)具有从锥、锥台中选择的凸部的半导体层、(ii)电极，以及当凸部为锥台时，凸部高度为0.05μm～5.0μm，下底面的直径为0.05μm～2.0μm，在凸部为锥的情况下，凸部高度为0.05μm～5.0μm，底面的直径为0.05μm～2.0μm，而且，半导体发光元件的制造方法包括工序(a)～(c)。a)是在基板上生长半导体层的工序；(b)是在半导体层上形成包含平均粒径为0.01μm～10μm的粒子且面密度为2×106cm－2～2×1010cm－2的区域的工序；(c)是对半导体层进行干蚀刻而形成从锥及锥台中选择的凸部的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件的制造方法，包括工序(a)～(c)，工序(a)是在基板上生长半导体层的工序；工序(b)是在半导体层上形成包含平均粒径为0.01μm～10μm的粒子且面密度为2×106cm-2～2×1010cm-2的区域的工序；工序(c)是对半导体层进行干蚀刻而形成从锥及锥台中选择的凸部的工序。
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