[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 200610166970.4 | 申请日： | 2006-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN101038926A | 公开（公告）日： | 2007-09-19 |
| 发明（设计）人： | 冈田和央;北川胜彦;野间崇;大塚茂树;山田纮士;石部真三;森田佑一;大久保登;篠木裕之;沖川满 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H01L31/0203;H01L31/0232 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置，其消除了形成在半导体基板反面上的配线图案被映入到输出图像中的问题。在受光元件(1)与配线层(10)之间形成有反射层(8)，其使从光透射性基板(6)通过半导体基板(2)而向配线层(10)方向射入的红外线不到达配线层(10)而被反射到受光元件(1)侧。反射层(8)被至少均匀地形成在受光元件(1)区域的下方，或是也可以仅形成在受光元件(1)区域的下方。并且，也可以不形成反射层(8)而是形成具有吸收射入的红外线而防止其透射的功能的反射防止层(30)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其特征在于，其包括：在正面上形成有受光元件的半导体基板、在所述受光元件的上方而与所述半导体基板贴合的光透射性基板、形成在所述半导体基板反面上的配线层、形成在所述受光元件与所述配线层之间而把从所述光透射性基板通过所述半导体基板向所述配线层方向射入的红外线向所述受光元件侧反射的反射层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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