[发明专利]半导体存储装置及其制造方法

摘要

一种半导体存储装置，具有：形成于P型阱(1)，且以行列状配置有多个存储单元的存储单元阵列区域(A)；将多个存储单元中排列于同一行的存储单元彼此公共连接的多根字线(13)；和在P型阱(1)与存储单元阵列区域(A)分离形成的保护二极管区域(B)。在保护二极管区域(B)中构成有保护二极管元件，该保护二极管元件由在P型阱(1)的上部形成的N型扩散层(9)和P型阱(1)接合构成，各字线(13)通过延伸至保护二极管区域(B)与N型扩散层(9)直接连接，而与保护二极管元件电连接。因此，在堆积了字线形成用的导电层之后的工序中，也可以保护存储单元不受因字线的带电而引起的高电压的施加的影响。

主权项

1、一种半导体存储装置，包括：形成于第一导电型半导体区域，且以行列状配置有多个存储单元的存储单元阵列区域；将所述多个存储单元中排列于同一行的存储单元彼此共同连接的多根字线；和与所述存储单元阵列区域分离而形成在所述半导体区域的保护二级管区域，在所述保护二级管区域中构成有保护二级管元件，该保护二级管元件由在所述半导体区域的上部形成的第二导电型的第一扩散层和所述半导体区域接合而构成，所述各字线通过延伸至所述保护二级管区域并与所述第二导电型的第一扩散层直接连接，而与所述保护二级管元件电连接。