[发明专利]氮化物半导体元器件

摘要

本发明涉及一种发光元器件等的氮化物半导体元器件，是在一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的n导电侧半导体区域与一层或二层以上的氮化物半导体层所组成的p导电侧半导体区域之间形成活性层的氮化物半导体元器件，所述p导电侧或n导电侧半导体区域的至少一层氮代物半导体层是分别由氮化物半导体所组成并且组成互异的第1层与第2层积层而成的超格子层。根据上述结构，即可降低元器件所用电流、电压，实现效率高的元器件。

主权项

1.一种氮化物半导体发光元器件，在具有氮化物半导体层的n导电侧半导体区域与具有氮化物半导体层的p导电侧半导体区域之间具有氮化物半导体活性层，其特征在于，在所述n导电侧半导体区域具有积层第1氮化物半导体层和第2氮化物半导体层的构造，所述第2氮化物半导体层的带隙能量比所述第1氮化物半导体层小、n型杂质浓度比所述第1氮化物半导体层低，所述第1氮化物半导体层的n型杂质其浓度在接近所述第2氮化物半导体层的部分较低，在远离该接近部分的部分较高。