[发明专利]非易失性半导体存储器件无效
| 申请号： | 200610162911.X | 申请日： | 2006-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN1975931A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 河合贤;东亮太郎;川原昭文;诹访仁史;春山星秀 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34;G11C16/26;G11C16/30;G11C16/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 季向冈 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性半导体存储器件，由多个在单一的电荷存储部位具有3个以上的阈值电压分布的状态的存储器单元构成存储器单元阵列。利用编程顺序控制电路，将由多个值的数据构成的数据集中所含有的各个数据与上述3个以上的阈值电压分布中的任一个阈值电压分布对应地存储在上述存储器单元，而在重写存储于上述存储器单元的数据时，将在数据的存储中使用的阈值电压分布向一个方向移动来进行数据的重写。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器件，根据所输入的指令来进行数据的写入和读出，其特征在于，包括：存储器单元阵列，包含多个在单一的电荷存储部位具有3个以上的阈值电压分布的状态的存储器单元；和编程顺序控制电路，将由多个值的数据构成的数据集中所含有的各个数据，与上述3个以上的阈值电压分布中的任一个阈值电压分布对应地存储在上述存储器单元，而在重写存储于上述存储器单元的数据时，使在数据的存储中使用的阈值电压分布向一个方向移动来进行数据的重写。
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