[发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法。所述CMOS图像传感器单元包括：在其上具有表面的第一导电型的半导体有源区和在有源区中的P－N结光电二极管。驱动晶体管也提供在半导体有源区中。驱动晶体管具有设置以接收在图像摄取操作期间(即在摄取来自图像的光子期间)在P－N结光电二极管中产生的电荷。驱动晶体管具有栅电极和在栅电极下延伸的波状外形沟道区。波状外形沟道区具有比栅电极的长度更长的有效沟道长度。

主权项

1、一种集成电路器件，包括：在其中具有第一导电型且邻近表面延伸的半导体有源区的衬底；和在所述有源区中具有P-N结光电二极管和驱动晶体管的互补金属氧化物半导体图像传感器的单位单元，所述驱动晶体管具有设置以接收在图像摄取操作期间在所述P-N结光电二极管中产生的电荷的栅电极，所述栅电极在具有有效沟道长度比所述栅电极的长度更长的波状外形沟道区对面延伸。