[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610141646.7 | 申请日： | 2006-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN1949540A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 粉谷直树 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/11;H01L27/092;H01L21/336;H01L21/8244;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置，其在SRAM存取区域SA的N型MIS晶体管上形成拉伸应力含有绝缘膜(50)及压缩应力含有绝缘膜(51)。另一方面，在SRAM驱动区域SD的N型MIS晶体管上形成拉伸应力含有绝缘膜(50)。从而，调整晶体管的驱动力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其中，具备：第一MIS晶体管、第一绝缘膜和层间绝缘膜，所述第一MIS晶体管具有：第一栅绝缘膜，其形成在作为半导体层中的一部分的第一活性区域上；第一栅电极，其形成在所述第一栅绝缘膜上；N型的第一源·漏区域，其形成在所述第一活性区域中位于所述第一栅电极的侧方的区域，所述第一绝缘膜覆盖所述第一源·漏区域及所述第一栅电极的上方，且具有压缩应力，所述层间绝缘膜覆盖所述第一绝缘膜的上方。
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