[发明专利]半导体存储器装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610132099.6 | 申请日： | 2006-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN101043051A | 公开（公告）日： | 2007-09-26 |
| 发明（设计）人： | 朴允童;金锡必;金元柱 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/105;H01L21/336;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体存储器装置及其制造方法。该半导体存储器装置包括衬底；至少成对的翼，从该半导体衬底凸起，相互面对且其间存在间隙；绝缘层，形成于该成对的翼之间；存储节点，其形成于该成对的翼与部分绝缘层的表面上；以及栅电极，其形成于该存储节点上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器装置，其包括：衬底；至少成对的翼，所述成对的翼从所述半导体衬底凸起，相互面对且在其间存在间隙；绝缘层，形成于所述成对的翼之间；存储节点，形成于所述成对的翼与部分的所述绝缘层的表面上；以及栅电极，形成于所述存储节点上。
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