[发明专利]非易失性半导体存储装置有效
| 申请号： | 200610130951.6 | 申请日： | 2006-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101026193A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 安田直树;西川幸江;村冈浩一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/49;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的非易失性半导体存储装置实现了增大存储单元的耦合比并降低漏电流。与本发明的实例有关的非易失性半导体存储装置，包括：在半导体衬底内配置的源、漏扩散层；在源、漏扩散层之间的沟道之上配置的第一绝缘膜(T－ox.)；在第一绝缘膜(T－ox.)之上配置的、含有叠置的多个第一导电层的浮置栅电极(FG)；在浮置栅电极(FG)之上配置的第二绝缘膜(IPD)；以及在第二绝缘膜(IPD)之上配置的控制栅电极(CG)。在将多个第一导电层之中的除了最上层之外的一个第一导电层作为基准层的情况下，基准层的功函数大于等于4.0eV，基准层之上的包括基准层在内的多个第一导电层的功函数φw1、φw2、…、φwn随着朝向第二绝缘膜(IPD)依次增大。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1、—种非易失性半导体存储装置，其特征在于，包括：在半导体衬底内配置的源、漏扩散层；在上述源、漏扩散层之间的沟道之上配置的第一绝缘膜；在上述第一绝缘膜上配置的、含有叠置的多个第—导电层的浮置栅电极；在上述浮置栅电极之上配置的第二绝缘膜；以及在上述第二绝缘膜之上配置的控制栅电极，在将上述多个第一导电层之中的除了最上层之外的一个第一导电层作为基准层的情况下，上述基准层的功函数大于等于4.0eV，上述基准层之上的包括上述基准层在内的多个第—导电层的功函数随着朝向上述第二绝缘膜依次增大。
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