[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 200610128147.4 | 申请日： | 2006-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN1937224A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 竹本弘毅 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/04 | 分类号： | H01L27/04;H01L23/60 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本国大阪府守*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于，在具备保险元件的半导体装置中，抑制静电噪音的影响。所述半导体装置包括：开关元件(24)；和保险元件(22)，其与开关元件(24)串连连接，因开关元件(24)变为导通状态而流过的电流而被熔断，其中通过在用于施加控制开关元件(24)的控制信号的控制线(28)中，连接静电破坏防止电路(30)，可以解决本发明中提出的课题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，其包含形成在半导体基板上的电路，具备：开关元件；和保险元件，其与所述开关元件串连连接，因所述开关元件变为导通状态而流过的电流而被熔断，在用于施加控制所述开关元件的控制信号的控制线中，连接有静电破坏防止电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
