[发明专利]半导体芯片导线修补过程中的导航方法有效
| 申请号： | 200610119356.2 | 申请日： | 2006-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN101197313A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 董伟淳;季春葵;廖炳隆;牛崇实 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体芯片导线修补过程中的导航方法，包括下列步骤：将X射线装置与半导体芯片成角度放置，其中X射线装置包括X射线发射器和X射线探测器，而半导体芯片中包含导线层；X射线发射器发射X射线穿透半导体芯片至X射线探测器，确定半导体芯片内导线层位置；扫描导线层，找出错误导线；修补错误导线。经过上述步骤，在用聚焦离子束修补半导体芯片上的错误导线前，用X射线装置确定导线层位置，由于X射线波长短，使分辨率提高，从而确定导线层位置的准确率也提高且导航时间缩短，进而达到修补导线的成功率提高，使成本降低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 导线 修补 过程 中的 导航 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片导线修补过程中的导航方法，包括下列步骤：将X射线装置与半导体芯片成角度放置，其中X射线装置包括X射线发射器和X射线探测器，而半导体芯片中包含导线层；X射线发射器发射X射线穿透半导体芯片至X射线探测器，确定半导体芯片内导线层位置；扫描导线层，找出错误导线；修补错误导线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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