[发明专利]一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法无效
| 申请号： | 200610117137.0 | 申请日： | 2006-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN101162684A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 彭洪修;王胜利;杨春晓 | 申请（专利权）人： | 安集微电子（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/30;H01L21/306;B08B3/00 |
| 代理公司： | 上海虹桥正瀚律师事务所 | 代理人： | 李佳铭 |
| 地址： | 201203上海市浦东新区张江高科*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体晶圆制造工艺中一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法。其具体步骤为：晶圆经过光阻清洗液处理后，用含有水溶性金属缓蚀剂的金属保护液进行清洗，之后甩干。该水溶性金属缓蚀剂可为聚羧酸类金属缓蚀剂。本发明方法利用金属保护液，在清洗步骤中阻止了等离子体电浆刻蚀过程中和环境中产生的中卤离子，氧气，溴离子，氢氧根离子，H离子等对刻蚀后的金属腐蚀。该方法从根本上解决了半导体晶圆制造工艺中，蚀刻灰化后清洗过程中的金属腐蚀问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 蚀刻 灰化 清洗 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶圆蚀刻灰化后的清洗方法，其特征在于：用含有水溶性金属缓蚀剂的金属保护液，对光阻清洗液处理后的晶圆进行清洗，之后甩干。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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