[发明专利]等离子体刻蚀系统有效
申请号: | 200610108350.5 | 申请日: | 2006-08-02 |
公开(公告)号: | CN101118854A | 公开(公告)日: | 2008-02-06 |
发明(设计)人: | 黄元巨;麦华山;吴子仲;朴相珣;鄞昌宁;申镇宇;桑艾马;朴乾兑;张镇浩 | 申请(专利权)人: | 美商慧程系统科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/00;C23F4/00;H05H1/00;H01J37/32;G02F1/133 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 何春兰 |
地址: | 美国加州佛利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种等离子体刻蚀系统,包括一密闭的等离子体室,其内注有复合气体,其内两侧分别设分别电气连接第一供电端及第二供电端的第一电极板及第二电极板,该等离子体室于二电极板间平行接设接地的一导电筛板,该等离子体室内设有一放置一待刻蚀基板的基座,待二供电端分别对二电极板提供不同电压,并令二电极板对该复合气体放电后而解离成于该等离子体室内进行不规则碰撞的等离子体气体分子,其透过该导电筛板的导引,穿过该导电筛板上布设的多个筛孔,可朝该基板表面的一薄膜进行一致性撞击,而对该基板表面进行等离子体刻蚀处理,由控制导电筛板与基板的共同距离,令等离子体气体分子较均匀地撞击该基板表面,对该基板表面形成较均匀的刻蚀效果。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 刻蚀 系统 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体刻蚀系统,包括:一密闭的等离子体室,该等离子体室内可注入复合气体;一第一电极板,设于该等离子体室的顶部,该第一电极板与一第一供电端电气相连接,该第一供电端对该第一电极板提供一电压;一第二电极板,设于该等离子体室的底部,该第二电极板与一第二供电端电气相连接,该第二供电端对该第二电极板提供不同于该第一电极板的电压的另一电压,该二电压并对该复合气体进行解离而使该复合气体转变成等离子体气体分子;一基座,是介于该第一电极板及该第二电极板间,该基座与该第二电极电气相接,该基座放置有待刻蚀的一基板;一导电筛板,接设于该第一电极板及该基板间,该导电筛板与一接地端电气相连接,该导电筛板设有多个筛孔,所述筛孔可供该第一电极板及该导电筛板间的等离子体气体分子穿过,该导电筛板并使该等离子体气体分子一致性地撞击该基板表面的一薄膜,对该薄膜进行等离子体刻蚀处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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