[发明专利]等离子体刻蚀系统

权利要求书

1、一种等离子体刻蚀系统，包括：

一密闭的等离子体室，该等离子体室内可注入复合气体；

一第一电极板，设于该等离子体室的顶部，该第一电极板与一第一供电端电气相连接，该第一供电端对该第一电极板提供一电压；

一第二电极板，设于该等离子体室的底部，该第二电极板与一第二供电端电气相连接，该第二供电端对该第二电极板提供不同于该第一电极板的电压的另一电压，该二电压对该复合气体进行解离而使该复合气体转变成等离子体气体分子；

一基座，介于该第一电极板及该第二电极板之间，该基座与该第二电极电气相接，该基座放置有待刻蚀的一玻璃基板；

一导电筛板，接设于该第一电极板及该玻璃基板间，该导电筛板与一接地端电气相连接，该导电筛板设有多个筛孔，所述筛孔可供该第一电极板及该导电筛板间的等离子体气体分子穿过，该导电筛板使该等离子体气体分子一致性地撞击该玻璃基板表面的一薄膜，对该薄膜进行等离子体刻蚀处理。

2、如权利要求1所述的等离子体刻蚀系统，其特征是，该等离子体室与一气控模块相接通，且该等离子体室表面邻近该第一电极板处贯设有多个送气口，该气控模块与所述送气口相接通，该等离子体室经由所述送气口接收该复合气体。

3、如权利要求2所述的等离子体刻蚀系统，其特征是，该气控模块内包括：多个气体输出管，与所述送气口相接通，以输出多个不同种类的气体；

一控制单元，对应所述不同种类的气体而分别设于所述气体输出管上，所述控制单元以一预设速率的流量输出并混合所述多个不同种类的气体以形成该复合气体，而由所述送气口输入该等离子体室。

4、如权利要求3所述的等离子体刻蚀系统，其特征是，该等离子体室表面邻近该第二电极板处还贯设有至少一排气口，各排气口活动地拴设有一排气泵，各排气泵在开启时，使该等离子体分子在该等离子体室内对该玻璃基板进行等离子体刻蚀处理后所产生的废弃物排出该等离子体室外，各排气泵能排出该等离子体室中的空气以对该等离子体室加压。

5、如权利要求4所述的等离子体刻蚀系统，其特征是，该等离子体室在面对该等离子体气体形成处的一侧还设有一侦测单元，该侦测单元对该玻璃基板所进行等离子体刻蚀处理的状况进行辨识及侦测。

6、如权利要求5所述的等离子体刻蚀系统，其特征是，该二电极板皆呈电气导电，该二电极板非面对该导电筛板的一面外均包覆有能隔离电气的一第一绝缘层，该二第一绝缘层防止该等离子体气体分子对该二电极进行撞击和溅射。

7、如权利要求5所述的等离子体刻蚀系统，其特征是，该基座由一导电体的物质所组成。

8、如权利要求5所述的等离子体刻蚀系统，其特征是，该筛孔的尺寸大小与通过该筛孔的等离子体气体分子的流量大小成正比关系。

9、如权利要求8所述的等离子体刻蚀系统，其特征是，所述筛孔的尺寸由该导电筛板的四周朝该导电筛板的中央区域递增。

10、如权利要求5所述的等离子体刻蚀系统，其特征是，所述筛孔在该导电筛板分布的密度与通过该导电筛板的等离子体气体分子对该玻璃基板的刻蚀强弱成正比关系。

11、如权利要求10所述的等离子体刻蚀系统，其特征是，所述筛孔分布的密度由该导电筛板的四周朝该导电筛板的中央区域递增。

12、如权利要求10所述的等离子体刻蚀系统，其特征是，所述筛孔以多个垂直线排列在该导电筛板上。

13、如权利要求10所述的等离子体刻蚀系统，其特征是，所述筛孔以多个水平线排列在该导电筛板上。

14、如权利要求12所述的等离子体刻蚀系统，其特征是，所述筛孔还以多个水平线排列在该导电筛板上。

15、如权利要求10所述的等离子体刻蚀系统，其特征是，所述筛孔以一矩形排列在该导电筛板上。

16、如权利要求10所述的等离子体刻蚀系统，其特征是，所述筛孔以一圆形排列在该导电筛板上。

17、如权利要求11所述的等离子体刻蚀系统，其特征是，所述筛孔以一网状排列在该导电筛板上。