[发明专利]等离子体刻蚀系统有效
申请号: | 200610108350.5 | 申请日: | 2006-08-02 |
公开(公告)号: | CN101118854A | 公开(公告)日: | 2008-02-06 |
发明(设计)人: | 黄元巨;麦华山;吴子仲;朴相珣;鄞昌宁;申镇宇;桑艾马;朴乾兑;张镇浩 | 申请(专利权)人: | 美商慧程系统科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/3065 | 分类号: | H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/00;C23F4/00;H05H1/00;H01J37/32;G02F1/133 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 何春兰 |
地址: | 美国加州佛利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 刻蚀 系统 | ||
技术领域
本发明是有关于等离子体刻蚀系统,其于一密闭的等离子体室内的一第一电极板及一第二电极板间平行装设有接地的一导电筛板,该导电筛板可导引该第一电极板及第二电极板放电后所产生的等离子体气体分子,一致性地撞击至一基板的表面,而对该基板的表面进行等离子体刻蚀处理,以解决等离子体气体分子对大型尺寸的基板刻蚀不均匀的缺点。
背景技术
现今我们的生活正迈入一个电子产业蓬勃发展的信息时代,各种多媒体电子产品迅速推陈出新,着实为人类的娱乐及休闲发展带来了更多的选择性,然而,随着当前各种电子科技的不断研发与精进,相关电子产品的屏幕及显示装置一直在进步,也一再追求更大显示面板的目标,以满足使用者对未来的需求,或更进一步地符合创造利益与节省花费的目的。
一般而言,LCD平面显示器(Flat Panel Display,FPD)的尺寸大小通常为1,000~1,200公厘 x 1,200~1,500公厘,而在不久的将来,该LCD平面显示器中的玻璃基板更可能会超过每边2,500公厘的范围,由于该LCD平面显示器的制造技术中,请参阅图1所示,其中的一步骤为利用一种等离子体气体400于两电极100、200间对一玻璃基板300表面的一薄膜(如:氮化硅Silicon Nitride,简称SiN或非晶硅,简称a-Si)进行等离子体刻蚀的处理,但是制造商于等离子体刻蚀处理其间,于其加工的过程产生了相当多的瓶颈及限制,其原因是该等离子体气体400于大尺寸的玻璃基板300中,由于该等离子体气体400对该大型玻璃基板300进行刻蚀工作的范围过广,该等离子体气体400中的各分子对该大型玻璃基板300的中间及其两端区域所轰击的程度无法一致,该等离子体气体400便无法均匀地对该大型玻璃基板300进行刻蚀工作;换句话说,请参阅图2所示,该等离子体气体400于二不同电压(或频率)的电极100、200间时,其中央的浓度所产生的阻抗(Impedance)大于两端所产生的阻抗,因此,该等离子体气体400中的分子无法于两电极100、200间保持一定的浓度,该等离子体气体400的分子对该玻璃基板300表面的任一位置所进行等离子体刻蚀的效果也不一致,又,若欲加长对该玻璃基板300进行等离子体刻蚀处理的时间,用以加强该等离子体气体400较弱浓度的部分所对该玻璃基板300进行等离子体刻蚀的效果,则原先等离子体气体400较强浓度的部分反而穿蚀且破坏该玻璃基板300上原有刻蚀的规划。
因此,目前LCD平面显示器对于大型尺寸玻璃基板的制造技术已面临一大挑战,一般传统的解决方法即利用间距(Gap)与阻抗(Impedance)成正比的原理,请参阅图3所示,将一电极100与该玻璃基板300两端的间距缩短或将该电极100与该玻璃基板300中央的间距加大,以尽可能使该等离子体气体400于两电极100、200间中央的浓度所产生的阻抗接近该等离子体气体400于两电极100、200的两端所产生的阻抗,以求该等离子体气体400对该玻璃基板300刻蚀效率的一致性,然而,如此作法,首先必需对该电极100进行弯曲工作,以使该电极100的中央、两端与该玻璃基板300形成不相等的间距,但是对于欲弯曲该电极100所需实施的曲率仍无法理想地具体实现。
因此,制造者在此必须考虑到等离子体刻蚀处理所使用的等离子体气体的浓度,通过该等离子体气体相同的浓度大小,以维持该等离子体气体对该玻璃基板刻蚀效率的一致性,故,由上述可知,欲维持该等离子体气体的相同浓度并对该玻璃基板所进行等离子体刻蚀处理保有一定的刻蚀率,实为在生产制造过程中有诸多不便,故,以上问题即成为本发明在此欲解决的一重要课题。
发明内容
本发明的一目的是提供一种等离子体刻蚀系统,使得该等离子体气体分子可保有对该基板任一位置于进行等离子体刻蚀处理时的一致性,而不致对该基板产生刻蚀不均匀的状况。
本发明的另一目的是提供一种等离子体刻蚀系统,其中该导电筛板上的该等筛孔可利用不同大小的筛孔设计,布置于该导电筛板所需的位置上,该等离子体气体分子可通过流经不同大小的该等筛孔,而被控制产生出不同的流量,以控制该等离子体气体的预设浓度,令该等离子体气体分子得以被设定去撞击欲设的该基板表面。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造