[发明专利]产生辐射的半导体芯片和发光二极管有效
| 申请号： | 200610105928.1 | 申请日： | 2001-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN1913184A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | J·保尔;D·埃泽尔特;M·费雷尔;B·哈恩;V·海勒;U·雅各布;W·普拉斯;U·斯特劳斯;J·维尔克尔;U·策恩德尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 赵辛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明提出了高功率发光二极管用的半导体芯片(1)，其纵侧比其横侧长得多，从而明显地提高了光输出。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 辐射 半导体 芯片 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.产生辐射的半导体芯片，具有一层包括一个发射电磁辐射的区域的有源层(2)和一个该辐射能穿透的衬底(3)，在该衬底上设置该有源层，该半导体芯片具有横侧(9)和纵侧(6)，它们侧向界定有源区延伸方向上的半导体芯片，并通过它们输出该辐射的至少一部分，其特征为，至少一个作为输出面用的纵侧(6)在该有源区的延伸方向内比一个横侧(9)长。
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