[发明专利]非易失性半导体存储器无效
| 申请号： | 200610105867.9 | 申请日： | 2006-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN1917087A | 公开（公告）日： | 2007-02-21 |
| 发明（设计）人： | U·奥古斯丁;G·克伯尼克 | 申请（专利权）人： | 秦蒙达闪存有限责任两合公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/34;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;陈景峻 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种确定用于从非易失性半导体存储器读出数据的读取电压的方法，其中该半导体存储器包含分组成第一存储器区域和第二存储器区域的多个存储单元，该方法包括步骤：将给定数目的“0”存储于第二存储器区域；在第一存储器区域的存储单元内存储数量相等的“0”和“1”；确定第一读取电压，在该第一读取电压下从该第一存储器区域的存储单元读出相同数量的“0”和“1”；基于该第一读取电压源，确定第二读取电压，在该第二读取电压下读出的相同数目的“0”等于第二存储器区域中存储的“0”的数目；以及使用该第二读取电压作为读取该半导体存储器的存储单元的读取电压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种确定用于从非易失性半导体存储器读出数据的读取电压的方法，其中该半导体存储器包含分组成第一存储器区域和第二存储器区域的多个存储单元，该方法包括步骤：将给定数目的“0”存储于第二存储器区域；在第一存储器区域的存储单元内存储数量相等的“0”和“1”；使用初始第一读取电压读取第一存储器区域的存储单元；调整该第一读取电压，并再次读取第一存储器区域的存储单元直到从第一存储器区域的存储单元读出相同数目的“0”和“1”，由此获得最终的第一读取电压；基于该最终的第一读取电压确定初始第二读取电压；使用该初始第二读取电压读取第二存储器区域的存储单元；调整该第二读取电压，并再次读取第二存储器区域的存储单元直到读出的“0”的数目等于存储于第二存储器区域内的“0”的数目，由此获得最终的第二读取电压；以及使用该最终的第二读取电压作为读取该半导体存储器的存储单元的读取电压。
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