[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610100992.0 | 申请日： | 2006-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1956219A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 工藤千秋 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/04;H01L21/336;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了半导体装置及其制造方法。目的在于：能够实现不管栅极长度如何、具有相同组成的FUSI结构的半导体装置及其制造方法。在具有被FUSI化的栅极长度不同的第一栅极电极14T1及第二栅极电极14T2的半导体装置中，在第一栅极电极14T1依次形成第一侧壁105和第二侧壁106，第一侧壁105的上端低于第一栅极电极14T1的上表面及第二侧壁106的上端且第一侧壁105和第二侧壁106彼此的蚀刻特性不同。在第二栅极电极14T2中，第一侧壁105的上端也低于第二栅极电极14T2的上表面及第二侧壁106的上端。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，包括具有由金属全硅化物化的第一栅极电极的第一MIS型晶体管，其特征在于：上述第一MIS型晶体管，具有：第一栅极绝缘膜，形成在半导体区域上，上述第一栅极电极，形成在上述第一栅极绝缘膜上，第一侧壁，形成在上述第一栅极电极的侧面上，以及第二侧壁，隔着上述第一侧壁形成在上述第一栅极电极的侧面上；上述第一侧壁和上述第二侧壁彼此的蚀刻特性不同；上述第一侧壁的上端形成得低于上述第一栅极电极的上表面及上述第二侧壁的上端。
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