[发明专利]覆盖精度测量游标及其形成方法无效
| 申请号： | 200610098828.0 | 申请日： | 2006-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN101034698A | 公开（公告）日： | 2007-09-12 |
| 发明（设计）人： | 沈贵潢 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种覆盖精度测量游标及其形成方法。根据一个实施例，形成覆盖精度测量游标的方法包括以下步骤：在半导体衬底上的预定区域中形成第一游标图案；使用第一游标图案作为掩模来蚀刻半导体衬底，形成第一深度的沟槽；形成第二游标图案，其具有比第一游标图案的宽度更宽的宽度，所述第二游标图案包括第一游标图案；使用第二游标图案作为掩模来执行蚀刻工艺，由此形成第二深度的沟槽，其具有预定宽度的阶梯；剥离第一和第二游标图案，且然后形成绝缘膜来掩埋沟槽；以及，蚀刻绝缘膜使得游标区域的半导体衬底暴露。 | ||
| 搜索关键词： | 覆盖 精度 测量 游标 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种覆盖精度测量游标，包括：两个或更多的第一游标，形成在半导体衬底的预定区域中且它们彼此隔开，所述第一游标具有一宽度；以及在所述第一游标上形成的第二游标，所述第二游标具有比第一游标的宽度窄的宽度。
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