[发明专利]用于将金属无电镀沉积到半导体衬底上的装置无效
申请号: | 200610098561.5 | 申请日: | 2006-07-06 |
公开(公告)号: | CN1900358A | 公开(公告)日: | 2007-01-24 |
发明(设计)人: | 德米特里·鲁博弥尔斯克;阿拉库玛·山姆戈萨卓姆;伊恩·A·帕查姆 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C18/16 | 分类号: | C23C18/16;H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 赵飞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种无电镀沉积系统和无电镀沉积台。该系统包括处理主机架、定位在主机架上的至少一个衬底清洁台、和定位在主机架上的无电镀沉积台。无电镀沉积台包括环境受控处理围罩、构造为清洁和活化衬底表面的第一处理台、构造为将层无电镀沉积到衬底表面上的第二处理台、和定位以在第一和第二处理台之间传输衬底的衬底穿梭器。无电镀沉积台还包括各个流体递送和衬底温度控制设备以实现无污染且均匀的无电镀沉积处理。 | ||
搜索关键词: | 用于 金属 电镀 沉积 半导体 衬底 装置 | ||
【主权项】:
1.一种无电镀处理室,其具有适于处理衬底的处理区域,所述无电镀处理室包括:定位在所述处理区域中的台板组件,所述台板组件包括:基体构件,其具有形成通过其的流体孔;流体扩散构件,其可密封地定位到所述基体构件并具有上游侧和下游侧,其中所述流体扩散构件具有在所述上游侧与所述下游侧之间流体连通的多个流体通道;流体容积,其形成在所述基体构件与所述流体扩散构件的上游侧 之间;特征部,其从所述流体扩散构件的下游侧向上突出第一距离;和可旋转衬底支撑组件,其定位在所述处理区域中并具有衬底支撑表面,其中所述可旋转衬底支撑适于相对于所述台板组件旋转。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
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