[发明专利]形成金属氧化物半导体晶体管的方法无效
| 申请号： | 200610084227.4 | 申请日： | 2006-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101083212A | 公开（公告）日： | 2007-12-05 |
| 发明（设计）人： | 陈能国;邹世芳;蔡腾群;黄建中 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成金属氧化物半导体晶体管的方法，是先提供一基底，再于基底上形成一个金属氧化物半导体晶体管。接着，进行一道自行对准金属硅化工艺，之后对基底进行一道红外线处理，以修补前述基底中的损伤。由于上述方法能够修补前述基底中的损伤，所以可有效降低金属氧化物半导体晶体管的结漏电，进而提升良率。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 金属 氧化物 半导体 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成金属氧化物半导体晶体管的方法，包括：提供基底；于该基底上形成金属氧化物半导体晶体管；于该基底上沉积接触窗蚀刻中止层，以覆盖该金属氧化物半导体晶体管；以及对该接触窗蚀刻中止层进行紫外线固化程序，同时对该基底进行红外线处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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