[发明专利]半导体集成电路装置有效
| 申请号： | 200610082711.3 | 申请日： | 2006-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN1866522A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 奥岛基嗣 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H02H9/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体集成电路装置包括：第一电源系统，包括与第一电源线相连的第一电路；第二电源系统，包括与第二电源线相连的第二电路；信号线，连接在第一电路和第二电路之间，用于在第一电路和第二电路之间传输信号；放电路径，其不同于该信号线，并且当有异常电压施加在该第一电源系统与第二电源系统之间时，异常电流流经该放电路径；检测电路，用于检测放电路径上两个位置之间的电位差，其中当产生异常电压时，异常电流流经该放电路径；以及保护电路，其根据检测电路的输出进行工作，以抑制信号线的电压升高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路装置，包括：第一电源系统，包括与第一电源线相连的第一电路；第二电源系统，包括与第二电源线相连的第二电路；信号线，连接在第一电路和第二电路之间，以及用于在该第一电路和第二电路之间传输信号；放电路径，其不同于该信号线，并且当有异常电压施加在该第一电源系统与第二电源系统之间时，异常电流流经所述放电路径；检测电路，用于检测放电路径上两个位置之间的电位差，其中当产生异常电压时，异常电流流经该放电路径；以及保护电路，其根据该检测电路的输出进行工作，以抑制该信号线的电压升高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
