[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体存储器件及其制造方法。硫属化物材料与硅氧化膜的接合性差，因此出现了在相变存储器的制造工序中容易剥离的课题。另外，相变存储器复位时(非晶化)必须要将硫属化物材料加热到熔点以上，因而出现了需要非常大的重写电流的课题。为解决上述课题，在硫属化物材料层和层间绝缘膜之间、以及硫属化物材料层和插塞之间，插入兼具了接合层和高电阻层(热电阻层)的功能的、由极薄的绝缘体或半导体构成的界面层。

主权项

1.一种半导体存储器件，包括半导体衬底；在上述半导体衬底的主面形成的选择晶体管；设置在上述选择晶体管之上的层间绝缘膜；插塞，贯穿上述层间绝缘膜有选择地设置，与上述选择晶体管电连接；硫属化物材料层，与上述插塞的一端电连接，在上述层间绝缘膜之上延伸地设置；设置在上述硫属化物材料层之上的上部电极，所述半导体存储器件的特征在于：具有界面层，在上述硫属化物材料层和上述层间绝缘膜之间，至少覆盖上述插塞的一端地形成，由连续的绝缘体构成，使上述硫属化物材料层和上述层间绝缘膜之间没有直接连接的区域。