[发明专利]半导体衬底及其制造方法无效
| 申请号： | 200610081886.2 | 申请日： | 2006-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN1866538A | 公开（公告）日： | 2006-11-22 |
| 发明（设计）人： | 野上彰二;山冈智则;山内庄一;山口仁 | 申请（专利权）人： | 株式会社上睦可;株式会社电装 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了在半导体衬底上形成超级结结构后抑制电荷平衡的恶化和维持良好的耐压特性，在衬底主体的表面上以预定间隔分别形成多个柱状第一外延层(11)，并在该多个第一外延层之间的沟槽中分别形成多个第二外延层(12)。平行于衬底主体的表面的表面中的第一外延层中所包括的掺杂剂的浓度分布被配置为与平行于衬底主体的表面的表面中的第二外延层中所包括的掺杂剂的浓度分布相匹配。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体衬底，包括：多个柱状第一外延层(11)，分别以预定间隔形成在衬底主体(13)的表面上；和多个第二外延层(12)，分别形成在该多个第一外延层(11)之间的沟槽(14)中，其中，在平行于衬底主体(13)的表面的表面中的第一外延层(11)中所包括的掺杂剂的浓度分布被配置为与在平行于衬底主体(13)的表面的表面中的第二外延层(12)中所包括的掺杂剂的浓度分布相匹配。
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