[发明专利]半导体成像器件无效
| 申请号： | 200610077708.2 | 申请日： | 2006-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN1992298A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | 大川成实 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L23/52;H04N5/335 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;高龙鑫 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体成像器件，其具有以矩阵状图案设置的多个像素，每个像素包括：光电转换单元，用于将接收到的光转换为信号电荷；信号电压转换单元，用于将所述信号电荷转换为电压；第一晶体管，用于控制所述信号电荷从所述光电转换单元到所述信号电压转换单元的转移；以及信号电压读出单元。在该半导体成像器件的设置中，沿列方向排列的四个PD(PD1至PD4)共享信号电压读出单元，各元件设置为如下顺序：PD/FD1和TG－Tr1、2/PD2/SF－Tr和SL－Tr/PD3/PD2和TG－Tr3、4/PD4/RS－Tr。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 成像 器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体成像器件，具有以矩阵状图案设置的多个像素，每个所述像素包括：光电转换单元，用于将接收到的光转换为信号电荷；信号电压转换单元，用于将所述信号电荷转换为电压；第一晶体管，用于控制所述信号电荷从所述光电转换单元到所述信号电压转换单元的转移；以及信号电压读出单元，其具有：第二晶体管，用于将所述信号电压转换单元的电压调节为第二复位电压；第三晶体管，用于输出与所述信号电压转换单元的电压一致的信号电压；以及第四晶体管，用于选择所述像素所属的行，其中沿列方向排列的四个所述光电转换单元共享所述信号电压读出单元，上述元件的设置顺序如下：所述光电转换单元/所述信号电压转换单元和两个所述第一晶体管/所述光电转换单元/所述第三晶体管和所述第四晶体管/所述光电转换单元/所述信号电压转换单元和两个所述第一晶体管/所述光电转换单元/所述第二晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
