[发明专利]非易失性半导体存储器件有效
| 申请号： | 200610075413.1 | 申请日： | 2006-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1870274A | 公开（公告）日： | 2006-11-29 |
| 发明（设计）人： | 前岛洋 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L27/115 | 分类号： | H01L27/115;G11C16/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种非易失性半导体存储器件，可以实现NAND型闪速存储器的写入速度的高速化。该非易失性半导体存储器件，包括：把NAND串配置成矩阵状而成的单元阵列，该NAND串由可电改写的存储单元串联连接而成；通过感测与上述存储单元连接的位线的电位，感测上述存储单元的阈值的检测放大器，该检测放大器包含具有高电压晶体管的第1区和具有低电压晶体管的第2区；与上述NAND串的一端连接的单元源线；以及具有与上述单元源线连接、向上述单元源线供给接地电位或低电位的第1晶体管的第1单元源线驱动器；且上述单元源线驱动器的上述第1晶体管配置在上述检测放大器的上述第1区上。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性半导体存储器件，其特征在于包括：把NAND串配置成矩阵状而成的单元阵列，该NAND串由可电改写的存储单元串联连接而成；通过感测与上述存储单元连接的位线的电位，感测上述存储单元的阈值的检测放大器，该检测放大器包含具有高电压晶体管的第1区和具有低电压晶体管的第2区；与上述NAND串的一端连接的单元源线；以及具有与上述单元源线连接、向上述单元源线供给接地电位或低电位的第1晶体管的第1单元源线驱动器；且上述单元源线驱动器的上述第1晶体管配置在上述检测放大器的上述第1区上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
