[发明专利]集成电路元件及其形成方法有效
| 申请号： | 200610073625.6 | 申请日： | 2006-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1941355A | 公开（公告）日： | 2007-04-04 |
| 发明（设计）人： | 王昭雄;吴炳坤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玉双;郑特强 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种集成电路元件及其形成方法，该集成电路包括：导电材料，部分嵌入介电层开口，其中该导电材料的侧壁及底部被第一阻挡层包覆；以及第二阻挡层，其包覆导电材料的顶部；其中该导电材料及第一阻挡层侧壁凸出至预定高度，该预定高度高于介电层的顶部表面以形成部分镶嵌式结构。本发明可增进对上方介电层的附着力。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 元件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路元件，包括：导电材料，部分嵌入介电层的开口中；第一阻挡层，部分嵌入该介电层的该开口中，其中该第一阻挡层包括覆盖该导电材料的侧壁的第一部分；以及第二阻挡层，覆盖该导电材料的顶部；其中该导电材料及该第一阻挡层的第一部分在该介电层的顶部表面凸出预定高度，以形成部分镶嵌式结构。
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