[发明专利]一种在Si(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法无效
| 申请号： | 200610064977.5 | 申请日： | 2006-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN1912194A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 杜小龙;王喜娜;曾兆权;袁洪涛;梅增霞;薛其坤;贾金锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种在硅(111)衬底上制备高质量氧化锌单晶薄膜的方法，即分五步依次在超高真空环境下热处理硅衬底获得清洁的Si(111)面：1.低温沉积1～10nm厚的金属单晶薄膜如镁、钙、锶、镉等，2.低温氧化金属膜以获得金属氧化物单晶层，3.低温沉积氧化锌缓冲层，4.以及高温沉积氧化锌层，5.制备高质量氧化锌单晶薄膜；其优越的光电性能表明该薄膜非常适合于高性能光电子器件的制作。高质量硅基氧化锌薄膜在光电集成方面具有巨大的应用前景，因此，本发明具有重大的工业应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 111 衬底 制备 质量 zno 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在硅(111)衬底上制备高质量氧化锌单晶薄膜的方法，其步骤如下：1)通过公知的氢氟酸刻蚀法去除硅(111)衬底表面的氧化层，然后导入超高真空制膜系统；其中，超高真空制膜系统的样品台具有加热和冷却功能；2)超高真空下，升温至750～950℃高温下去除残余氧化硅层，获得清洁的硅衬底表面；3)将上述硅衬底降温至100～-150℃，沉积1～10nm厚金属镁、钙、锶或镉单晶层，然后利用氧气或活性氧源对金属薄膜进行氧化处理，获得岩盐相金属氧化物单晶薄膜；4)在上述金属氧化物层上采用公知的二步生长法沉积ZnO膜，即在-150～350℃低温下沉积5～50nmZnO缓冲层；及5)在400～700℃温度下沉积300～1000nm ZnO外延层，可得到高质量ZnO薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院物理研究所，未经中国科学院物理研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610064977.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：互补式金属氧化物半导体图像传感器的布局结构
- 下一篇：一种高压润滑脂泵
