[发明专利]具有碳化硅钝化层的碳化硅双极结型晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200610064203.2 | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN1992337A | 公开（公告）日： | 2007-07-04 |
| 发明（设计）人： | A·K·阿加瓦尔;S·克里什纳斯瓦米;S·－H·刘;D·C·卡佩尔 | 申请（专利权）人： | 克里公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L29/24;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;刘杰 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 双极结型晶体管(BJT)包括：第一导电型的碳化硅(SiC)集电极层，在碳化硅集电极层上第二导电型的外延碳化硅基极层外延碳化硅基极层上的第一导电型的外延碳化硅发射极台。在碳化硅发射极台外部在外延碳化硅基极层的至少一部分上提供第一导电型的外延碳化硅钝化层。外延碳化硅钝化层可以设置以在零器件偏压时完全耗尽。还公开了相关的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 碳化硅 钝化 双极结型 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种双极结型晶体管(BJT)，包括：第一导电型的碳化硅集电极层；在碳化硅集电极层上与第一导电型不同的第二导电型的外延碳化硅基极层；远离碳化硅集电极层的外延碳化硅基极层上的第一导电型的外延碳化硅发射极台；和在碳化硅发射极台外部的外延碳化硅基极层的至少一部分上的第一导电型的外延碳化硅钝化层。
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