[发明专利]单片集成的具有双焦微透镜阵列的CMOS图像传感器有效
| 申请号： | 200610029511.1 | 申请日： | 2006-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101114662A | 公开（公告）日： | 2008-01-30 |
| 发明（设计）人： | 肖德元;朱虹;洪中山;严祥成;卢普生;陈国庆;杨建平;李若加 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 李勇 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种单片集成的具有双焦微透镜阵列的CMOS图像传感器，包括：标准CMOS逻辑电路，其集成了硅pin光电二极管；微透镜阵列，集成在CMOS电路有源区域对应的光吸收表面；氮化硅层，覆盖微透镜阵列；滤色镜，设置于氮化硅层上面；其特征在于，所述微透镜阵列是双焦微透镜阵列，与CMOS电路单片集成。其折射率为1.44～2.0用于较好的光学聚焦双焦微透镜阵列，提高光收集和量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 单片 集成 具有 双焦微 透镜 阵列 cmos 图像传感器 | ||
【主权项】：
1.单片集成的具有双焦微透镜阵列的CMOS图像传感器，包括：标准CMOS逻辑电路，其集成了硅pin光电二极管；微透镜阵列，集成在CMOS电路有源区域对应的光吸收表面；氮化硅层，覆盖微透镜阵列；滤色镜，设置于氮化硅层上面；其特征在于，所述微透镜阵列是双焦微透镜阵列，与CMOS电路单片集成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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