[发明专利]制备磁性金属离子掺杂的单晶ZnO基稀磁半导体纳米棒的方法无效
| 申请号： | 200610018253.7 | 申请日： | 2006-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN1831211A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 王浩;汪汉斌;杨辅军;薛双喜 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | C30B7/14 | 分类号： | C30B7/14;C30B29/62;C30B29/16 |
| 代理公司： | 武汉金堂专利事务所 | 代理人： | 丁齐旭 |
| 地址： | 430062*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种制备磁性金属离子掺杂的单晶ZnO基稀磁半导体纳米棒的方法，是在溶液中，用温度控制生成的ZnO晶粒大小，以直径为几十纳米的单分散ZnO晶粒为种子，通过化学反应在其上外延地生长Zn1－xTMxO，使得磁性金属离子均匀掺杂到纤锌矿结构的ZnO晶格中去，从而形成ZnO基稀磁半导体纳米棒的材料。本发明通过控制反应剂的配比，在一定范围内可控制ZnO晶体中掺杂离子的浓度；通过控制反应温度来控制生成纳米棒的形貌和结构，使之具有与稀磁半导体相关的物理性能。该方法具有制备成本低，操作简便易行，可重复性高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 磁性 金属 离子 掺杂 zno 基稀磁 半导体 纳米 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备磁性金属离子掺杂的单晶ZnO基稀磁半导体纳米棒的方法，其特征在于在溶液中，用温度控制生成的ZnO晶粒大小，以直径为几十纳米的单分散ZnO晶粒为种子，通过化学反应在其上外延地生长Zn1-xTMxO，使得磁性金属离子均匀掺杂到纤锌矿结构的ZnO晶格中去，从而形成稀磁半导体纳米棒的材料。
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