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[发明专利]一种导电聚合物包覆的磷化镍纳米线及其制备方法和应用-CN202111397572.4有效
发明人：万厚钊;汪泽;王浩;吕琳;马国坤;汪汉斌;张军 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H01G11/86 文献下载
摘要：本发明公开了一种导电聚合物包覆的磷化镍纳米线及其制备方法和应用，属于超级电容器电极材料的技术领域。本发明的制备方法是以去离子水、单质磷、金属镍盐、十六烷基三甲基溴化铵为原材料通过一步水热法制备前驱体材料，再对前驱体材料在冰水混合物环境氛围中进行聚合物包覆过程，最后将包覆了聚合物的磷化镍纳米线材料在氩气或氮气氛围中退火得到最终产物。利用本发明所制得的导电聚合物包覆的磷化镍纳米线作为电极材料的超级电容器，具有较大的比表面积、较高的表面活性位点，比电容大，并且稳定性优异。
一种导电聚合物磷化纳米及其制备方法应用

[发明专利]一种Mo金属掺杂MnO2-CN202111397586.6有效
发明人：万厚钊;郑兆涵;王浩;吕琳;马国坤;汪汉斌;张军 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： C01G45/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mo金属掺杂MnO2电极材料及其制备方法和应用，属于电极材料制备技术领域。本发明是以乙炔黑、高锰酸钾、浓硫酸、钼酸钠为原材料，首先将原材料配制成混合反应液、其次进行水热反应、抽滤、干燥，从而使高锰酸钾加热分解形成Mo金属掺杂MnO2电极材料。本发明通过简单的一步水热掺杂，得到Mo金属掺杂MnO2电极材料，其中的Mo元素在高度可逆的充放电过程中替换了部分原MnO2中Mn的位置，高价的Mo通过抑制Mn的溶解从而提高了MnO2的循环性能，改善了锰基材料锌离子电池的整体电化学性能。
一种 mo 金属掺杂 mno base sub

[发明专利]一种三相界面结构钴铁基催化剂及其制备方法和应用-CN202210858005.2有效
发明人：王浩;雷超;吕琳;万厚钊;汪汉斌 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-07-20 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C25B11/091 文献下载
摘要：本发明属于材料科学技术领域及电催化技术领域，具体涉及一种三相界面结构钴铁基催化剂及其制备方法和应用，本发明通过一步湿化学法得到的三相界面催化剂CoFe/CoFeOx/Fe3O4形成了稳定的界面结构，在界面处有着更快的电荷转移，降低了析氧反应过电势，利用本发明催化剂的界面处的快速电荷转移能够显著提升电化学动力学过程，从而实现高效稳定的电解水析氧。本发明合成的催化剂能耗小、工艺简单、成本低，在一定程度上解决了钴铁体系类材料合成方法具有局限性、能耗大、工艺复杂、成本高、等问题。
一种三相界面结构钴铁基催化剂及其制备方法应用

[发明专利]非金属B掺杂β相MnO2-CN202310055494.2在审
发明人：程俊岩;万厚钊;吕琳;汪汉斌;沈谅平;张军;王浩 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2023-01-17 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C01G45/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种非金属B掺杂β相MnO2电极材料的制备方法和应用，属于水系锌离子电池储能技术领域。本发明具体制作步骤如下：(1)室温下，按配比将水溶性锰盐和强氧化性化合物倒入烧杯中，加入去离子水搅拌均匀；(2)根据掺杂的摩尔比，称量少量的硼源加入到(1)均匀的溶液中，继续搅拌均匀；(3)将配置好的溶液倒入聚四氟乙烯内胆中，转移至不锈钢高压反应釜中进行水热反应；(4)反应完成后将生成物进行过滤、干燥、收集。本发明通过非金属B掺杂β相MnO2电极材料不仅具有高比容量而且电池循环稳定性在非金属B掺杂后得到了很大的提高，并且本发明一步到位，大大简化了实验程序，节省了人力物力，便于产业化实施和应用，市场前景广阔。
非金属掺杂 mno base sub

[发明专利]一种面向RRAM存内计算系统阵列结构优化的方法-CN202310186971.9有效
发明人：王浩;郑精;吕琳;汪汉斌;万厚钊;马国坤;袁晓旭;高浩浩 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G06N3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种面向RRAM存内计算系统阵列结构优化的方法，主要是利用后训练量化算法中的相应公式对基于RRAM的存内计算系统阵列结构进行优化处理，在保证计算准确率和精度的情况下，减小阵列面积，降低系统功耗。本发明的有益效果是：本发明适配于多层感知机和卷积神经网络等多种神经网络，在相同计算情况下，通过减半1T1R阵列规模，有效减少系统面积、降低系统能耗，提升系统计算效率，结合RRAM器件制备工艺不够成熟的现状，更适用于商业化落地；本发明在CNN卷积层的卷积核数量增多的情况下，阵列规模是常规技术的一半，但额外添加计算XZWQ和XQWZ的乘法器数量保持不变，系统总体性能优势十分显著。
一种面向 rram 计算系统阵列结构优化方法

[发明专利]一种基于过渡金属硫属化物和有机聚合物的忆阻器及其制备方法-CN202310002648.1在审
发明人：万厚钊;胡婷;陶野;王浩;吕琳;马国坤;张军;沈谅平;汪汉斌 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于过渡金属硫属化物和有机聚合物的忆阻器及其制备方法，属于半导体存储相关技术领域。本发明所述忆阻器自下而上依次包括底电极、忆阻功能层及顶电极，忆阻功能层位于所述顶电极及所述底电极之间。本发明所述忆阻器采用如下方法制备而成：步骤1，将ITO导电玻璃放在紫外光下UV处理作为底电极；步骤2，制备含过渡金属硫属化物纳米片和聚合物的混合液，通过转移法转移至底电极上，作为忆阻功能层；步骤3，使用掩膜板通过热蒸镀的方法镀金属顶电极。本发明操作简单成本不高，并且环保灵活，对实验仪器要求不高。另外，将基板换为涂有ITO的PET基材(用具有氧化铟锡涂层的聚对苯二甲酸乙二醇酯)作为底部电极时，可以制成柔性忆阻器。
一种基于过渡金属硫属化物有机聚合物忆阻器及其制备方法

[发明专利]基于钛掺杂的氧化铌选通管及其制备方法-CN202011442707.X有效
发明人：王浩;陈大磊;万厚钊;桃李;张军;汪汉斌;汪宝元;沈谅平;马国坤 -专利权人：湖北大学
申请日： 2020-12-11 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于钛掺杂的氧化铌选通管及其制备方法，该选通管包括：底电极；转换层，位于所述底电极一侧表面；顶电极，位于所述转换层远离所述底电极一侧表面；其中，所述转换层的材料为钛掺杂的氧化铌。未掺杂钛的氧化铌选通管相比于本发明，需要在选通管上外加‑5.15V的Forming电压，只有经过Forming过程选通管才能表现出阈值转变的性能。本发明的基于钛掺杂的氧化铌选通管，不需要Forming过程就可以直接表现出阈值转变的性能，具有Forming‑free的特性，可以极大地缓解外围电路的设计压力，并保护器件免受大电压的破坏。
基于掺杂氧化铌选通管及其制备方法

[发明专利]一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法-CN202110170101.3有效
发明人：王浩;余志颖;季杰;檀秋阳;潘希彦;马国坤;饶毅恒;万厚钊;桃李;彭小牛;段金霞;汪汉斌;汪宝元 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-02-03 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于掺钛氧化铌的1S1R器件及其制备方法，该器件包括：底电极；转换层；阻变层；顶电极；转换层为钛掺杂的氧化铌。本申请的器件，转换层为钛掺杂的氧化铌，基于该材料制得的选通管有操作电压十分稳定、抗高脉冲电流等优点；阻变层采用氮化硅薄膜，由于氮化物的存在使得氧空位移动受到限制，使得氧空位更为可控。本申请采用掺钛氧化铌作为选通管功能层和氮化硅薄膜作为阻变层，使制得的1S1R器件具有稳定的SET电压、RESET电压、负极性阈值电压和正极性保持电压等相关操作电压，明显的存储窗口和选通比(非线性值)，在直流耐受性测试中表现出较强的稳定性，因此能够有效地减小漏电流，有一定的抗串扰能力。
一种基于氧化 s1r 器件及其制备方法

[发明专利]一种天然气锅炉低氮燃烧系统-CN202010706669.8有效
发明人：王文华;汪汉斌;黄亮;鲁小军;穆仁才 -专利权人：湖北鼎博丰新能源发展有限公司
申请日： 2020-07-21 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： F23C9/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种天然气锅炉低氮燃烧系统，包括工作台和控制系统，所述工作台二挡顶部固定连接有双层锅炉，双层锅炉包括内锅炉和外锅炉，内锅炉的一端贯穿外锅炉并延伸至外锅炉的外部，外锅炉的顶部固定有抽气泵，抽气泵的抽气端连通有抽气管，抽气管的一端依次贯穿外锅炉和内锅炉并延伸至内锅炉的内部，本发明涉及天然气锅炉低氮燃烧系统技术领域。该天然气锅炉低氮燃烧系统，通过在设置双层锅炉，配合抽气泵上的抽气管和出气管，能够将内锅炉产生的烟气抽气外锅炉的内部，并对其再次燃烧，再利用两个挡板，并通过滑动块和连接块使得两个挡板上的通孔不重合，能够减小反应体积，进而能够进行充分燃烧，避免产生有害气体。
一种天然气锅炉燃烧系统

[发明专利]Pdx-CN202110346915.8有效
发明人：常靖;汪汉斌;杨成;赵磊;万厚钊;陈旭;王浩 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： B22F1/054 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有密排六方结构的单相PdxPt(50‑x)Bi50三元合金纳米颗粒及其制备方法和应用，属于合金材料和电化学技术领域。本发明通过多元醇还原法制备合成了PdxPt(50‑x)Bi50三元合金纳米颗粒，颗粒具有单一的密排六方结构，合金中Pd成分的摩尔比在2.5～15之间，纳米颗粒的尺寸在10～50nm之间。本发明方法合成的PdxPt(50‑x)Bi50三元合金纳米颗粒具有低Pt含量、无杂相、高ORR及HER活性和稳定性的优点，对实现少铂化技术在燃料电池、商业电解水方面的大规模应用具有潜在价值。
pd base sub

[发明专利]一种PQ-MnO2-CN202210404309.1在审
发明人：万厚钊;李欢;王浩;吕琳;马国坤;张军;汪汉斌 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-04-18 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： H01M4/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种PQ‑MnO2复合电极材料及其制备方法和应用，属于电极材料制备技术领域。本发明是以PQ、乙炔黑、高锰酸钾、浓硫酸等为原材料，首先将高锰酸钾、浓硫酸等原材料配成溶液、其次进行水热反应、抽滤、干燥，从而得到MnO2，再将其与PQ以及乙炔黑一起研磨混合均匀、最后进行球磨，从而使PQ和MnO2均匀形成PQ‑MnO2复合电极材料。本发明通过机械球磨混合，得到PQ‑MnO2复合电极材料，其中PQ与MnO2的相互作用，提高了PQ的电压平台，且较单独的PQ或MnO2，复合材料的容量更高，循环稳定性更好。
一种 pq mno base sub

[发明专利]一种基于碳布生长的金属掺杂碳酸锰电极材料及其制备方法和应用-CN202110212580.0有效
发明人：王浩;刘鹏程;段金霞;王浚英;汪汉斌;马国坤;桃李;彭小牛;张军;万厚钊 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01M4/58 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碳布生长的金属掺杂碳酸锰电极材料及其制备方法和应用，属于水系锌离子电池阴极储能材料技术领域。本发明以碳布为基底，将碳布预处理后置于配有适当比例的金属盐、锰盐和尿素的反应釜内胆的混合溶液中，并将碳布用聚四氟乙烯板固定，最后将反应釜装置放入干燥箱中进行水热反应，其中：反应温度设置为100～180℃，反应时间设置为16～24h，反应完成后清洗干净并干燥即可。本发明的金属掺杂碳酸锰后，形貌发生改变，在提高结构的稳定性同时，增大了反应过程的表面积，也提升了其能量密度。此外，本发明制备的电极材料在电池充放电过程中对进入阴极材料内部嵌入脱嵌的锌离子的静电作用力减少，电导率增大，提升了电池的电化学性能。
一种基于生长金属掺杂碳酸电极材料及其制备方法应用

[发明专利]一种具有多层纳米片结构的镍钴氢氧化物及其制备方法和应用-CN202210005661.8在审
发明人：万厚钊;刘钦;王浩;吕琳;王浚英;马国坤;张军;汪汉斌 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01M4/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有多层纳米片结构的镍钴氢氧化物及其制备方法和应用。本发明具有多层纳米片结构的镍钴氢氧化物是以金属镍盐、金属钴盐、六亚甲基四胺、葡萄糖通过一步水热法制备而成。将本发明制备的具有多层纳米片结构的镍钴氢氧化物作为电极活性材料，其具有较大的比容量以及良好的倍率性能，采用上述镍钴氢氧化物材料制成电极材料后，其比电容在1A/g恒定电流下为400～800C/g，扫描速率从1A/g到10A/g其电容保持率为85％左右。
一种具有多层纳米结构氢氧化物及其制备方法应用

[发明专利]一种MnO2-CN202111395962.8在审
发明人：王浩;秦晨晨;万厚钊;吕琳;马国坤;汪汉斌;张军 -专利权人：湖北大学;湖北江城实验室
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： C01G45/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种MnO2电极材料及其制备方法和应用，属于储能材料技术领域。本发明MnO2电极材料的制备方法，包括以下几个步骤：(1)将聚乙二醇滴入高锰酸钾水溶液中搅拌均匀；(2)将配制好的溶液放入高压反应釜中进行水热反应；(3)对反应后的溶液进行过滤、干燥处理；(4)收集干燥后的样品并在空气中进行退火处理，得到所述的MnO2电极材料。本发明制备得到的MnO2电极材料具有较高的表面活性位点，而且MnO2表面有一层C膜，使得MnO2电极材料具有良好的导电性和较高的比容量。其在5A/g电流密度下充放电2000圈后比容量从143.0mAh/g降到98.6mAh/g，比容量保持率接近70％。
一种 mno base sub

[发明专利]一种基于碳布生长的过渡金属离子掺杂四氧化三锰纳米片阵列及其制备方法和应用-CN202011257579.1有效
发明人：王浩;季杰;万厚钊;张军;汪汉斌 -专利权人：湖北大学
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C25D5/54 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于碳布生长的过渡金属离子掺杂四氧化三锰纳米片阵列及其制备方法和应用。本发明利用锰基材料本身高电位窗口作为优势，在此基础上掺杂过渡金属离子来修饰锰基材料，进而整体提高锌离子电池的电化学性能。基本步骤：先对空碳布进行预处理；然后采用电沉积法在空碳布上生长过渡金属离子掺杂四氧化三锰纳米片阵列；最后清洗干燥。本发明采用一步法，方便简单，且原料方便获得，成本低廉，无毒，这解决了传统工艺中材料含杂质过多，操作繁琐等问题。对于锌离子电池阴极材料而言，本发明通过过渡金属离子掺杂锰基氧化物的方式以优化结构进而提高电池的电化学性能。这为以后锌离子电池阴极材料的选材或者改善提供了一个很好的思路。
一种基于生长过渡金属离子掺杂氧化纳米阵列及其制备方法应用

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